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　　在當(dāng)今科技領(lǐng)域，等離子體工藝和薄膜沉積技術(shù)扮演著越來(lái)越重要的角色。而在這個(gè)領(lǐng)域，瑞典Ionautics的HiPSTER HiPIMS裝置無(wú)疑是行業(yè)的標(biāo)桿，Ionautics成立于2010年，一直致力于電離物理氣相沉積領(lǐng)域的創(chuàng)新與研究。近期，Ionautics發(fā)布了新產(chǎn)品HiPSTER 20脈沖發(fā)生器，這款專為工業(yè)用途和研發(fā)部門(mén)打造的20 kW高功率HiPIMS解決方案，體現(xiàn)了Ionautics在等離子體工藝和薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　HiPIMS技術(shù)

　　HiPIMS是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)磁控管的脈沖等離子體放電來(lái)電離材料通量。其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)在于，離子可以通過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)的共同作用進(jìn)行引導(dǎo)和操縱，從而在薄膜沉積過(guò)程中獲得卓越的性能。與傳統(tǒng)的薄膜沉積技術(shù)相比，HiPIMS能夠更精確地控制薄膜的厚度、均勻性和附著性等關(guān)鍵參數(shù)，從而顯著提高產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

　　Ionautics的HiPSTER裝置在HiPIMS技術(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步引入了創(chuàng)新的快速開(kāi)關(guān)技術(shù)和擴(kuò)展的HiPIMS脈沖控制技術(shù)。通過(guò)精確的脈沖時(shí)序和幅度控制，實(shí)現(xiàn)了對(duì)等離子體工藝的高效調(diào)控。這種控制技術(shù)使得研究人員能夠更好地掌握等離子體工藝的各個(gè)參數(shù)，從而更好地優(yōu)化工藝條件，提高產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

　　關(guān)于HiPSTER 20脈沖發(fā)生器

　　Ionautics的新產(chǎn)品HiPSTER 20脈沖發(fā)生器針對(duì)工業(yè)用途和研發(fā)部門(mén)的需求，專門(mén)設(shè)計(jì)成一款20 kW的高功率HiPIMS解決方案。它充分利用了HiPIMS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，HiPSTER 20脈沖發(fā)生器磁控管尺寸可達(dá) 1700 cm2，能夠在處理大面積工藝時(shí)展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)，并提供卓越的性能和效率。

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器特點(diǎn)：

　　恒定電壓，沒(méi)有不必要的震蕩

　　可通過(guò)主從配置進(jìn)行控制——多個(gè)電源。

　　新的開(kāi)關(guān)技術(shù)允許HiPIMS脈沖頻率高達(dá) 10 kHz

　　添加 lonautics 的疊加技術(shù)HIPIMS + DC

　　可按要求實(shí)施反應(yīng)式 HiPIMS 過(guò)程控制

　　在平面和可旋轉(zhuǎn)磁控管上進(jìn)行工業(yè)應(yīng)用測(cè)試

　　放電脈沖電壓和電流的實(shí)時(shí)信息

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器應(yīng)用

　　硬質(zhì)涂層

　　更光滑、更致密的元素 以及反應(yīng)沉積復(fù)合涂層、可提高硬度、減少 腐蝕，減少摩擦

　　光學(xué)涂層

　　提高光學(xué)性能，通過(guò)光滑的界面和致密的結(jié)構(gòu)提高光學(xué)性能

　　阻隔涂層

　　通過(guò)增加涂層密度

　　電氣涂層

　　提高導(dǎo)電性，從而減少涂層厚度，降低熱負(fù)荷。對(duì)于絕緣體，還可提高隔離度隔熱性能。

　　3-D 涂層

　　在形狀復(fù)雜的形狀的基材上

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器輸出規(guī)格

　　輸出平均功率：≤20千瓦

　　輸出峰值電壓: ≤1000V

　　輸出峰值電流: ≤2000A

　　調(diào)節(jié)模式：電壓、電流、功率、脈沖電流、脈沖充電

　　脈沖頻率: 50 至 10000 赫茲

　　脈沖持續(xù)時(shí)間:3.5us至1000us

　　電弧控制-反應(yīng)時(shí)間: 2us

　　觸發(fā)輸入/輸出: TTL兼容

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器輸入規(guī)格

　　交流輸入電壓: 1相+ N,100-240 VAC,50/60 Hz

　　230V 時(shí)的輸入電流: 0.7安直流充電輸入: 最大1000 V，浮動(dòng)

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器環(huán)境指標(biāo)

　　工作溫度: +5°C 至 +40°C

　　儲(chǔ)存溫度: -25°C 至 +55°C

　　相對(duì)濕度: 最大 85%，非冷凝

　　氣壓:  80 kPa 至 106 kPa

　　冷卻方式: 風(fēng)冷

　　污染等級(jí):  2級(jí)。冷卻空氣必須正常,不含腐蝕性蒸氣并且導(dǎo)電顆粒。

　　規(guī)格: CE 認(rèn)證

　　瑞典Ionautics HiPSTER HiPIMS裝置以其創(chuàng)新的科技和卓越的性能引領(lǐng)了等離子體工藝的新篇章。HiPSTER 20脈沖發(fā)生器以其高效、可靠、大尺寸的特點(diǎn)，成為適用于工業(yè)用途和研發(fā)部門(mén)20 kW HiPIMS解決方案的理想選擇。無(wú)論是在科研領(lǐng)域還是在工業(yè)生產(chǎn)中，Ionautics以領(lǐng)先的電離物理氣相沉積技術(shù)，為您提供先進(jìn)的工具和專業(yè)知識(shí)。